光検出半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-196752
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017715
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】低コストで、短波長の光に対しても良好な光感度を確保する。【解決手段】光検出半導体装置2は、たとえば光ディスク装置に組み込んで光ディスクからの反射光を受光し電気信号を生成するものであり、光電変換素子(たとえばPIN型フォトダイオード)を含む半導体チップ104を透明な樹脂パッケージ4内に収容して構成され、同パッケージの表面における、光電変換素子前方の箇所に、平面視円形の凹部6が形成されている。この凹部6におけるパッケージ4の厚みd1は、たとえば凹部6周辺のパッケージ4の厚みd2の半分以下とする。また、凹部6に代えて開口を形成し、光を直接、光電変換素子に入射させる構造とすることも有効である。

請求項（抜粋）：

光電変換素子を含む半導体チップを透明な樹脂パッケージ内に収容した光検出半導体装置であって、前記パッケージの表面における、前記光電変換素子前方の箇所に凹部が形成されていることを特徴とする光検出半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/02 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 23/28 D , H01L 23/28 J , H01L 31/02 B

Fターム (18件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109DA04 , 4M109DA07 , 4M109DB17 , 4M109EA01 , 4M109EC11 , 4M109EE12 , 4M109GA01 , 5F088AA03 , 5F088BA01 , 5F088BB10 , 5F088CB20 , 5F088JA02 , 5F088JA06 , 5F088JA20 , 5F088LA03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-102272
特開平1-171252
特開昭63-102272

全件表示

前のページに戻る