特許
J-GLOBAL ID:200903005014068020

固体撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-150904
公開番号(公開出願番号):特開2004-356859
出願日: 2003年05月28日
公開日(公表日): 2004年12月16日
要約:
【課題】本発明は、各画素の感度バラツキを防ぐとともに残像現象を防ぐことのできる固体撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】時間t1の間、信号φVPSをVHとすることで、光電変換するフォトダイオードと接続されたMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧を大きくして、MOSトランジスタのゲート電圧を大きく変化させる。その後、時間t2の間、信号φVPSをVhとすることで、MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧を小さくして、MOSトランジスタのゲート電圧の変化を小さくする。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
バイアス電圧が印加され入射した光量に応じた電気信号を発生する光電変換部を備える画素を有する固体撮像装置において、 前記光電変換部に蓄積された電荷を再結合して前記画素をリセットする際、 まず、第1所定時間の間、前記光電変換部に印加するバイアス電圧を電圧差の大きい第1所定電圧とし、 次に、第2所定時間の間、前記光電変換部に印加するバイアス電圧を前記第1所定電圧よりも電圧差の小さい第2所定電圧とすることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
H04N5/335 ,  H01L27/146
FI (3件):
H04N5/335 P ,  H04N5/335 E ,  H01L27/14 A
Fターム (15件):
4M118AA06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DB10 ,  4M118DB11 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  5C024CX17 ,  5C024CX41 ,  5C024GY38 ,  5C024HX47 ,  5C024HX50
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 固体撮像装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-057720   出願人:株式会社東芝
  • CMOSイメージセンサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-029633   出願人:富士通株式会社
  • 固体撮像装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-279386   出願人:ミノルタ株式会社
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