半導体エネルギー検出器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-280793
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125888
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】簡単で歩留まりのよい作成方法により、波長依存の出力特性を補正して全波長域において高感度の半導体エネルギー検出器を提供することを目的とする。【解決手段】 P型シリコン基板(1)の一方の面にフルフレーム転送型のCCD(5)が形成され、反対の面を受光面とする裏面入射型CCDにおいて、受光面上に、光を透過する入射窓(31)を有する裏面電位用アルミ膜(32)が蒸着されている。入射窓(31)の形状は、紫外域の光を検出する側の幅が広く、近赤外域の光を検出する側の幅が狭くなった台形類似形状となっている。したがって、受光部に到達する光量が調整され、検出器の分光感度特性が補正される。アルミ膜(32)に電圧をかけることで、受光面の電位が安定し、雑音の少ない高S/N比での測定が可能となる。更に、工程の変更も少なく、導入が容易である。

請求項（抜粋）：

半導体薄板の一方の面に光電変換部及びこの電荷を読み出す電荷読み出し部が形成され、前記半導体薄板の他方の面からエネルギー線が入射する半導体エネルギー検出器において、前記半導体薄板の前記エネルギー線が入射する面に、前記エネルギー線を透過する窓を有する導電性遮光膜が形成されるとともに接地されており、前記窓の前記電荷読み出し部の配列方向と直交方向の幅が、前記電荷読み出し部の配列方向に沿って異なることを特徴とする半導体エネルギー検出器。

IPC (4件)：

H01L 27/14 , G01J 1/02 , G01J 3/36 , H01L 27/148

FI (4件)：

H01L 27/14 K , G01J 1/02 Q , G01J 3/36 , H01L 27/14 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-088114
半導体エネルギー検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-182354 出願人：浜松ホトニクス株式会社
特開昭62-226659

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