特許
J-GLOBAL ID：200903005021592789
化合物半導体装置の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209920
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045632
出願日： 1993年08月02日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 外表面に露呈しているpn接合を形成している化合物半導体装置本体の外表面上に保護膜が形成されている構成の化合物半導体装置を、化合物半導体装置本体と保護膜との間に自然酸化膜が介挿されていず、従って、pn接合を流れる電流が自然酸化膜を介して漏れ電流として流れないものとして、製造する。【構成】 化合物半導体装置本体の外表面上に保護膜を形成する工程前において、化合物半導体装置本体の外表面に対する弗素を含む溶液または弗素を含むガスもしくはそれが励起されているガスを用いた表面処理によって、化合物半導体装置本体の外表面の自然酸化膜を除去し且つ化合物半導体装置本体の外表面上に弗化物膜を形成し、また、その表面処理後の工程において、化合物半導体装置本体に弗化物膜が分解する温度以上の温度を与えない。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する第1の化合物半導体層と、上記第1の化合物半導体層にそれとの間で端縁を外表面上に露出している接合を形成するように連接し且つ第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する第2の化合物半導体層とを有する化合物半導体装置本体を用意する工程と、上記化合物半導体装置本体の外表面上に保護膜を形成する工程とを有する化合物半導体装置の製法において、上記化合物半導体装置本体を用意する工程後、上記保護膜を形成する工程前において、上記化合物半導体装置本体の外表面に対する弗素を含む溶液または弗素を含むガスもしくはそれが励起されているガスを用いた表面処理によって、上記化合物半導体装置本体の外表面上に形成されている自然酸化膜を除去し且つ上記化合物半導体装置本体の外表面上にその外表面に臨んでいる化合物半導体を構成している元素の弗化物膜を形成する工程を有し、その工程後の工程において、上記化合物半導体装置本体に上記弗化物膜が分解する温度以上の温度を与えないことを特徴とする化合物半導体装置の製法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
