特許
J-GLOBAL ID：200903005039887360

保護層および低損傷陥凹部を備える窒化物ベースのトランジスタならびにその製作方法

発明者：
スコット ティー.シェパード

スコット ティー.シェパード について

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リチャード ピーター スミス

リチャード ピーター スミス について

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ゾルタン リング

ゾルタン リング について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-549235
公開番号（公開出願番号）：特表2007-518265
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第1および第2のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。
請求項（抜粋）：
トランジスタを製作する方法であって、 窒化物ベースの半導体チャネル層上に、窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、 前記窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に、保護層を形成すること、 前記バリア層上に、パターニングされた複数のオーム性接触金属領域を形成すること、 第1および第2のオーム性接触を形成するために、前記パターニングされたオーム性接触金属を、前記ゲート領域上に前記保護層を載せたままアニールすること、および 前記バリア層の前記ゲート領域上に、ゲート接点を形成することを含むことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/306 B
Fターム (30件)：
5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043FF01 ,  5F043FF06 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR10 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (17件)
  • 米国特許第5192987号明細書
  • 米国再発行特許第34861号明細書
  • 米国特許第4946547号明細書
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審査官引用 (1件)

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