特許

J-GLOBAL ID：200903005052835027

半導体装置及びその製造方法

発明者： 井上 成人
出願人/特許権者： セイコーインスツル株式会社
代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226409
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049467
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 トリミングヒューズ低抵抗化のために高融点金属を用いたシリサイド化を実行するが、高融点金属であるコバルトやタングステンの切断が安定して実行されるようなヒューズを形成すること。【解決手段】 半導体基板上に設けられた多結晶シリコンで形成されるトリミングヒューズにおいて、ヒューズをコバルトやタングステンなどによる高融点金属によるサリサイドで形成しつつ、切断部2のみ融点の低い多結晶シリコンで形成することにより切断しやすくした。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられトリミングヒューズ素子を用いた半導体装置において、高抵抗の多結晶シリコン膜単層のヒューズ切断領域と、低抵抗の高融点金属と多結晶シリコンとの熱反応により形成されたサリサイド領域で構成されることを特徴とするトリミングヒューズ素子を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/82

FI (1件)：

H01L21/82 F

Fターム (4件)：

5F064FF04 ,  5F064FF30 ,  5F064FF33 ,  5F064FF45

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-174110   出願人：セイコーエプソン株式会社