特許
J-GLOBAL ID：200903005065288203
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-257020
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111314
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】低電圧で動作させることを前提として設計された半導体集積回路において、低電圧でも高電圧でも動作させることが可能な半導体集積回路装置の提供。【構成】電源電圧が高電圧あるいは低電圧であるのかを検出する電源電圧検出回路と、トランジスタのN基板およびP基板に供給する基板電圧を発生するバック・バイアス発生回路を備え、このバック・バイアス発生回路は、前記電源電圧が高電圧の場合には、前記トランジスタのN基板に対して前記電源電圧よりも更に高い電圧を供給すると共に前記トランジスタのP基板に対してグランド電圧よりも更に0い電圧を供給し、前記電源電圧が低電圧の場合には、前記トランジスタのN基板に対して前記電源電圧を供給すると共に前記トランジスタのP基板に対してグランド電圧を供給することを前記電源電圧検出回路によって制御することにより上記目的を達成する。
請求項（抜粋）：
電源電圧を検出する電源電圧検出回路と、低電圧動作半導体集積回路を構成するトランジスタのN基板およびP基板に供給する基板バイアス電圧を発生するバック・バイアス発生回路を備え、このバック・バイアス発生回路は、前記トランジスタのN基板に対して前記電源電圧よりも更に高い電圧を供給する昇圧回路と前記トランジスタのP基板に対してグランド電圧よりも更に低い電圧を供給する降圧回路との少なくとも一方を有し、前記電源電圧が高電圧の場合には、前記昇圧回路および降圧回路の少なくとも一方を作動させ、前記電源電圧が低電圧の場合には、前記昇圧回路および降圧回路の作動を停止させて前記トランジスタのN基板に対して前記電源電圧を供給すると共に前記トランジスタのP基板に対してグランド電圧を供給するように前記電源電圧検出回路の出力によって前記バック・バイアス発生回路を制御することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H02M 3/07
, H03K 19/094
H01L 27/04 G
, H03K 19/094 D
