特許
J-GLOBAL ID：200903005068151659
高純度水素の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
杉村 興作
, 徳永 博
, 岩佐 義幸
, 藤谷 史朗
, 来間 清志
, 冨田 和幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-287602
公開番号（公開出願番号）：特開2007-099528
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】エネルギー効率が高く、長時間にわたり高い水素回収率で高純度の水素を得ることが可能な高純度水素の新規製造方法を提供する。【解決手段】脱水素反応器2中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行い、該脱水素反応により生成したガスをPd-Cuを主成分とする水素分離膜5を用いて精製する高純度水素の製造方法において、前記水素分離膜5を150°C以上350°C未満の第一の温度で運転し、(I)前記水素分離膜5の運転停止に際して、水素分離膜5を300°C以上であって且つ前記第一の温度より高い第二の温度に加温処理した後に該水素分離膜5の運転を停止するか、(II)前記水素分離膜5における水素回収率が低下した際に水素分離膜5の温度を300°C以上であって且つ前記第一の温度より高い第二の温度に昇温し、その後、該水素分離膜5の温度を150°C以上350°C未満の第一の温度に降温して運転を継続する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
脱水素反応器中で芳香族炭化水素の水素化物の脱水素反応を行い、該脱水素反応により生成したガスをPd-Cuを主成分とする水素分離膜を用いて精製する高純度水素の製造方法において、
前記水素分離膜を150°C以上350°C未満の第一の温度で運転し、
前記水素分離膜の運転停止に際して、前記水素分離膜を300°C以上であって且つ前記第一の温度より高い第二の温度に加温処理した後に前記水素分離膜の運転を停止することを特徴とする高純度水素の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
4G140FA02
, 4G140FB05
, 4G140FC01
, 4G140FE01
出願人引用 (3件)
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高圧水素の供給システム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-369936
出願人：千代田化工建設株式会社
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分散型発電システム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-192678
出願人：積水化学工業株式会社
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水素ガスの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-216188
出願人：関西電力株式会社
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