半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：煤孫耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175957
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023139
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】低しきい値、高効率で動作するp-InP基板上の半導体レーザを提供する。【構成】亜鉛(Zn)ドーピングp形InP(p-InP)基板(11)上に、p-InPクラッド層、活性層、n形InP(n-InP)クラッド層を有するダブルヘテロ構造(DH構造)の半導体レーザにおいて、p-InP基板(10)とp-InPクラッド層(12)の間にp-InGaAs層(11)或るいはp-InP/p-InGaAs多層膜を挿入することによりp-InP基板(10)からInGaAsP活性層(13)へのZn拡散を防止する。

請求項（抜粋）：

ドーパントとして亜鉛(Zn)を用いたp形インジウム・燐(p-InP)基板上に、p-InPクラッド層、活性層、n形InP(n-InP)クラッド層を有するダブルヘテロ構造(DH構造)の半導体レーザにおいて、p-InP基板とp-InPクラッド層の間にp形インジウム・ガリウム・砒素(p-InGaAs)層を挿入したことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-126692
特開平3-077391
特開平2-154472

全件表示

前のページに戻る