化学気相堆積により堆積された改良窒化チタン層および製造法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-295486
公開番号（公開出願番号）：特開平8-246152
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板上へCVD法により堆積された薄膜の性質を改善し、特に窒化チタン膜の密度を増大させ、抵抗率とその安定性を改良する方法を提供する。【解決手段】真空チャンバ10内に基板24を支持加熱する支持電極22と、ガスマニホルド・プレート18,18とが対向し平行に取付けられている。ガス入口電極12は前駆体ガス吸込管14を備え、吸込まれた前駆体ガスは吸込管に連結されたチャンバ16内で混合され、複数の開口部を有するプレート18を通り空間20に到る。支持電極は高周波電源26に接続され、両電極間の空間20でプラズマが生成される。TiN膜はTi(NR2)4を用いCVD法で形成された後、基板に400Vのバイアス電圧を印加しつつ、不活性ガスの100W高周波プラズマに膜を晒す後処理により、高エネルギーイオンで膜表面が衝撃されて膜は緻密化し、面積抵抗は低下し抵抗率の増大は24hで2%に改善安定化された。

請求項（抜粋）：

基板上に堆積された膜の膜性質(film properties )を改良する方法であって;エネルギーを有する(energetic )イオンで該膜を衝撃する(bombarding)ステップを含むことを特徴とする膜性質の改良方法。

IPC (4件)：

C23C 16/18 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285 301

FI (4件)：

C23C 16/18 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285 301 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-135018
特開昭52-071174
特開平2-259073

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