特許

J-GLOBAL ID：200903005080973125

光半導体装置及びその製造方法

発明者： 小林 宏彦 ,  雙田 晴久 ,  江川 満 ,  岡崎 二郎 ,  荻田 省一 ,  藤井 卓也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119898
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344068
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【目的】光通信、光ディスク装置、光インターコネクションなどの光源に用いられる光半導体装置に関し、導波路での光吸収を小さくし、低閾値で安定なレーザ発振すること。【構成】半導体基板1の上において利得領域Aからモード変換領域Bにかけて形成され且つモード変換領域Bでは利得領域Aから離れるにつれて膜厚が薄く形成されることにより量子効果によってエネルギーバンドギャップが前記利得領域Aから離れるにつれて広がり、さらに、モード変換領域Bと前記利得領域Aの境界での膜厚はモード変換領域Bの光出射端の膜厚に対して2倍以上となるストライプ状の量子井戸構造層6と、量子井戸構造層6の上に形成された上側のクラッド層8とを含む。

請求項（抜粋）：

不純物を含む半導体基板と、前記半導体基板の上において利得領域からモード変換領域にかけて形成され、且つ、前記モード変換領域では前記利得領域から離れるにつれて膜厚が薄く形成されることにより量子効果によってエネルギーバンドギャップが前記利得領域から離れるにつれて広がり、さらに、前記モード変換領域と前記利得領域の境界での膜厚は前記モード変換領域の光出射端の膜厚に対して2倍以上となるストライプ状の量子井戸構造層と、前記量子井戸構造層の上に形成された上側のクラッド層とを有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/026 618 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 5/026 618 ,  H01S 5/343

Fターム (22件)：

5F073AA21 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA67 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA86 ,  5F073AA87 ,  5F073AA89 ,  5F073BA02 ,  5F073BA04 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CA06 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35 ,  5F073EA20 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-360105
  
• 光結合デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-299625   出願人：日本電信電話株式会社