半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207821
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026093
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】検査時間を短縮しつつ精度の高い欠陥検査を行う。【解決手段】半導体素子を含む集積回路のパターンでチップが形成されたパターン付きウエハに電子線を走査しながら照射して二次電子を検出し、その電子線画像を使用してウエハの欠陥を検査するパターン付きウエハの欠陥検査方法は、走査線の本数を1/nで間引き走査して電子線画像を取得する間引き走査工程K1と、得られた電子線画像でウエハの欠陥の分布を求める欠陥分布抽出工程K2と、検査すべきチップを欠陥分布に基づきサンプリングする工程K3と、サンプリングしたチップを詳細に検査する詳細検査工程K4とを備えている。【効果】走査線の本数を間引いて得られた電子線画像から欠陥の分布を求め、この欠陥分布により検査対象チップをサンプリングした上で、サンプリングしたチップを詳細検査するため、検査時間を短縮しつつ検査精度を向上できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子を含む集積回路のパターンによって複数個のチップが形成された半導体ウエハに電子線が走査されて照射されるとともに、この半導体ウエハからの二次電子が検出されて電子線画像が取得され、この電子線画像が使用されて前記半導体ウエハの欠陥が検査される半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハに照射される電子線の走査線の本数が複数本(n)に一本の割合で間引かれて前記電子線が走査され、この走査により得られた電子線画像によって前記半導体ウエハの欠陥の分布が求められることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01B 21/30 101 , G01N 23/225 , H01J 37/147

FI (4件)：

H01L 21/66 J , G01B 21/30 101 Z , G01N 23/225 , H01J 37/147 B

Fターム (41件)：

2F069AA60 , 2F069BB15 , 2F069CC07 , 2F069DD15 , 2F069GG07 , 2F069GG08 , 2F069GG15 , 2F069GG52 , 2F069GG56 , 2F069GG77 , 2F069HH09 , 2F069JJ19 , 2F069JJ26 , 2F069MM04 , 2F069MM11 , 2F069MM17 , 2F069MM23 , 2F069MM31 , 2F069NN12 , 2F069QQ05 , 2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001FA06 , 2G001GA01 , 2G001GA06 , 2G001HA13 , 2G001JA02 , 2G001JA03 , 2G001JA08 , 2G001JA12 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001PA12 , 2G001RA04 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CA38 , 4M106DB05 , 4M106DB18 , 5C033FF03

引用特許：

審査官引用 (2件)

走査形顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-145447 出願人：株式会社日立製作所
基板の回路パターンの欠陥検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-105701 出願人：株式会社日立製作所

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