特許
J-GLOBAL ID:200903005092560632
膜厚測定方法及び基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
渡邉 勇
, 堀田 信太郎
, 小杉 良二
, 森 友宏
, 廣澤 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-227977
公開番号(公開出願番号):特開2007-040930
出願日: 2005年08月05日
公開日(公表日): 2007年02月15日
要約:
【課題】 より簡便かつ短時間に酸化膜の膜厚測定を行うことができるようにする。【解決手段】 膜厚測定方法は、予め準備された金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚とエリプソメトリで測定される位相差Δとの関係から、エリプソメトリで測定される位相差Δのみを用いて金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚を求める。基板処理装置は、予め準備された金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚とエリプソメトリで測定される位相差Δとの関係から、エリプソメトリで測定される位相差Δのみを用いて金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚を求める膜厚測定器を有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
予め準備された金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚とエリプソメトリで測定される位相差Δとの関係から、エリプソメトリで測定される位相差Δのみを用いて金属または合金の酸化膜または薄膜の膜厚を求めることを特徴とする膜厚測定方法。
IPC (2件):
FI (2件):
G01B11/06 Z
, H01L21/66 P
Fターム (27件):
2F065AA30
, 2F065CC19
, 2F065CC31
, 2F065DD02
, 2F065FF00
, 2F065FF49
, 2F065GG05
, 2F065GG22
, 2F065HH04
, 2F065HH08
, 2F065HH12
, 2F065JJ01
, 2F065JJ08
, 2F065LL33
, 4M106AA01
, 4M106AA11
, 4M106AA13
, 4M106BA20
, 4M106CA48
, 4M106DH03
, 4M106DH12
, 4M106DH32
, 4M106DH37
, 4M106DJ18
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
, 4M106DJ27
引用特許:
審査官引用 (4件)
-
特開昭55-026410
-
特許第3422799号
-
特開昭63-036105
引用文献:
審査官引用 (1件)
-
有機酸ドライクリーニング技術の銅配線形成プロセスへの試験研究
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