特許

J-GLOBAL ID：200903033376646697

半導体装置およびその製造方法

発明者： 富盛 浩昭 ,  青木 秀充 ,  三ケ木 郁 ,  古谷 晃 ,  田尾 哲也
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379923
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179112
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】探針プローブを電極パッドに接触させて特性検査を行う際、安定な抵抗が得られ、探針プローブを接触させたことが顕微鏡観察等により容易に視認することができるようにし、さらに、ハンダに対する濡れ性が良好で、電極パッド上にハンダバンプを好適に形成することができる、半導体装置を提供する。【解決手段】電極パッドを構成する銅膜17の表面を有機酸により処理して凹凸を付与した後、表面に形成された酸化膜24を、シュウ酸により除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた配線層と、前記配線層上に設けられた検査用電極パッドと、を備え、前記検査用電極パッドは、バリアメタル層およびコンタクト層が積層した構造を有し、前記検査用電極パッドの表面に凹凸が設けられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/66 E ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 S

Fターム (39件)：

4M106AA01 ,  4M106AD03 ,  4M106AD08 ,  4M106AD09 ,  4M106AD10 ,  4M106AD26 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH23 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ23 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM26 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX18 ,  5F033XX28 ,  5F033XX37 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043BB27 ,  5F043GG04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路及び半導体集積回路の製造方法及び半導体ウェハーの電気的特性検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-355448   出願人：日本電気株式会社
• 半導体素子及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-200357   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-012979   出願人：シャープ株式会社