特許

J-GLOBAL ID：200903005096478388

半導体装置とその製造方法

発明者： 仙波 直治 ,  嶋田 勇三
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082885
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279591
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子とキャリヤーを金属細線にて接続してなる多段接続用半導体装置の軽薄短小化、高放熱化および低コスト化を図る。【構成】 端面スルーホールを有するキャリヤー1に半導体素子4と半導体素子4との間に接着剤5を入れ、半導体素子4を多段接続する。金属細線6による接続は、半導体素子4の接着が終了次第順次ワイヤーボンディング法を用いて実施する。また、キャリヤー1のキャビティーに開口部9を形成し、この開口部9に半導体素子4を入れ、金属細線6によって接続し、その後半導体素子4の裏面から研削、研磨、サーフェースグラインダー、エッチング法等によって、所望の厚さにし、これを多段に接続する。さらに放熱板8を接着すると放熱効果が向上するため半導体装置の信頼性が高くなる。

請求項（抜粋）：

半導体素子を多段接続し、スルーホール構造を有するキャリヤーに固定した半導体装置において、個々の半導体素子は引き出し電極部分を除いた部分に形成された絶縁性接着剤によって他の半導体素子と接続され、かつ前記引き出し電極からキャリヤーへの電気的な接続に金属細線を用いたワイヤーボンディング法を用いたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-229461
  
• マルチチップモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-010938   出願人：沖電気工業株式会社