特許
J-GLOBAL ID：200903005098518581

垂直共振器型半導体発光素子

発明者：
高岡 圭児

高岡 圭児 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279859
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086895
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 垂直共振器型半導体発光素子は、素子のサイズが小さいことに加え、反射鏡を形成するDBRミラーの熱伝導が悪いために、素子の熱抵抗が大きい。このため、通電による発熱のため活性層の温度が上昇し、高出力動作が難しい。【解決手段】 発光部の周辺部に電流狭窄部に達するまで溝を掘り、この溝上に直接電極を形成する。こうすることで発熱部から電極までの距離を短くして、特に横方向へ熱が広がりやすくする。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成され、発光領域を持つ半導体活性層と、前記半導体活性層を狭持し、前記基板に対して垂直方向の共振器を形成する、前記半導体活性層に対して前記基板側に設けられた第1の半導体分布ブラッグ反射型ミラー及び前記基板と反対側に設けられた第2の半導体分布ブラッグ反射型ミラーと、前記第1及び第2の半導体分布ブラッグ反射型ミラーをそれぞれ介して、前記半導体活性層に電流を注入するための一対の電極と、前記第2の半導体分布ブラッグ反射型ミラー側に形成され、前記電極から注入された電流を前記発光領域へ絞り込むための電流狭窄部とを具備する垂直共振器型半導体発光素子において、前記発光領域上の前記第2の半導体分布ブラッグ反射型ミラーが凸状となるように、前記第2の半導体分布ブラッグ反射型ミラーの周辺部に凹部を形成し、前記凹部上に前記電極の一方を位置せしめてなることを特徴とする垂直共振器型半導体発光素子。
Fターム (10件)：
5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA14 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073EA24 ,  5F073FA11 ,  5F073FA27
引用特許：
審査官引用 (3件)

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