特許
J-GLOBAL ID：200903065354229277
半導体ウェーハ・ボンディングによって製造された透明基板垂直共振型面発光レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315844
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172229
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】VCSELは、DBRによって加えられる比較的大きい直列抵抗、並びに、デバイス内における高い電流密度及び小さい活性容積のため、かなりの量の内部熱を発生する。デバイスから光が放射できるように活性層は、ヒート・シンクから離れて取り付けられるために、VCSELからの熱の伝達効率が悪化し、活性層は高温で動作することになる。この結果、VCSEL全体としての効率が悪くなり、ユーザは、制限を受けて、大駆動電流でVCSELを駆動することができない。【解決手段】ウェーハ・ボンディングを利用して、透明基板を使い活性層がヒート・シンクに近く出来るので、熱性能が良くなり効率が良くなる。又、パターンにより形成された電流及び/または光閉じ込め領域を、ウェーハ・ボンド界面及び活性層に近接して配置出来る。 その結果、しきい値電流、しきい値電圧、単一モード安定性、効率、及び、出力電力等において、従来のVCSELに比べて向上した性能を示す。
請求項（抜粋）：
上部表面と下部表面を備えた活性層と、前記活性層の前記上部表面及び前記下部表面上において、それと隣接して配置された上部分布ブラッグ反射器及び下部分布ブラッグ反射器と、前記上部分布ブラッグ反射器に対してボンディングされた透明基板ウェーハと、活性領域に電圧を印加するための接点とを備えることを特徴とする垂直共振型面発光レーザ・ダイオード。
IPC (5件)：
H01S 3/18
, H01L 23/15
, H01L 23/40
, H01L 27/00 301
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 23/40 F
, H01L 27/00 301 B
, H01L 33/00 Z
, H01L 23/14 C
