特許
J-GLOBAL ID：200903005098635006

末端に非共有電子対を有する官能基を導入した高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したポジ型レジスト材料

発明者：
加藤 政雄

加藤 政雄 について

, 
長崎 幸夫

長崎 幸夫 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 田中 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186872
公開番号（公開出願番号）：特開平11-029612
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ビニルモノマーをイオン重合した後、ポリマー主鎖の末端4級炭素に炭素原子1つを介して非共有電子対を有する官能基を導入した新規な高分子化合物、その製造方法及び該化合物を用いたポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】下記の構造式(A)で表されるポリマー主鎖の末端4級炭素に炭素原子1つを介して非共有電子対を有する官能基を導入した末端官能基を有する高分子化合物【化1】[式中、Rは任意の開始剤断片を示す。R1、は水素または有機シリル基、有機シロキシ基、R2、R3及びR4は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。XはO、N、Sのような非共有電子対をを有する置換基を示す。nは5〜10、000の整数を表す。]
請求項（抜粋）：
下記の構造式(A)で表されるポリマー主鎖の末端4級炭素に炭素原子1つを介して非共有電子対を有する官能基を導入した末端官能基を有する高分子化合物。【化1】[式中、Rは任意の開始剤断片を示す。R1、は水素または有機シリル基、有機シロキシ基、R2、R3及びR4は水素または炭素数1から10のアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。XはO、N、Sのような非共有電子対をを有する置換基を示す。nは5〜10000の整数を表す。]
IPC (3件)：
C08F 8/00 ,  C08F112/04 ,  G03F 7/039
FI (3件)：
C08F 8/00 ,  C08F112/04 ,  G03F 7/039
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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