特許

J-GLOBAL ID：200903005100587707

半導体レーザ装置

発明者： 市川 英樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276779
公開番号（公開出願番号）：特開2000-113486
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 2チップレーザにおいては、レーザチップのチャンネル位置をチップの端にずらしているため、サブマウント(ヒートシンク)への放熱性が悪くなり、その結果レーザチップのエージング寿命が短くなるという欠点がある。【解決手段】 異なる波長を有する複数のレーザチップを1パッケージに搭載する際、双方のレーザチップから出射されるレーザ光を、ミラーを用いて反射させて、両反射光の光軸をほぼ平行に保ってなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

異なる波長を有する複数のレーザチップを1パッケージに搭載する際、双方のレーザチップから出射されるレーザ光を、ミラーを用いて反射させて、両反射光の光軸をほぼ平行に保ってなることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (8件)：

5D119AA33 ,  5D119EC47 ,  5D119FA05 ,  5D119FA08 ,  5D119FA28 ,  5D119FA36 ,  5D119JA05 ,  5D119JA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マルチビーム半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-160586   出願人：日本電気株式会社
• 光ピックアップ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-225279   出願人：日本電気株式会社