特許

J-GLOBAL ID：200903005105380760

SOI構造の半導体装置

発明者： アルベルト.オー.アダン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344247
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174283
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 動作状態ではMOSFETの低電圧動作を実現するために閾値電圧を低く設定し、OFF状態ではOFFリーク電流を低減するために閾値電圧を高く設定することができる基板ドーピングプロファイルを持つSOI構造の半導体装置を提供する。【解決手段】 埋め込み絶縁膜2及び第1導電型の表面半導体層3が積層されてなるSOI基板と、表面半導体層3に形成されたソース/ドレイン領域6、7と、ソース/ドレイン領域6、7間の第1導電型チャネル領域上にゲート絶縁膜24とゲート電極11とを有してなり、ソース/ドレイン領域6、7が表面半導体層3の厚さよりも薄く、チャネル領域が埋め込み絶縁膜2近傍においてその表面領域よりも不純物濃度が高い第1導電型高濃度不純物拡散層5を有しているSOI構造の半導体装置。

請求項（抜粋）：

埋め込み絶縁膜及び第1導電型の表面半導体層が積層されてなるSOI基板と、前記表面半導体層に形成された第2導電型ソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域間の第1導電型チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とからなり、前記ソース/ドレイン領域が、前記表面半導体層の厚さよりも薄く形成されており、前記チャネル領域が、前記埋め込み絶縁膜近傍においてその表面領域よりも第1導電型不純物濃度が高く設定された第1導電型高濃度不純物拡散層を有していることを特徴とするSOI構造の半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 613 A

Fターム (60件)：

5F040DA06 ,  5F040DA27 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040DC03 ,  5F040EB12 ,  5F040EC07 ,  5F040EC12 ,  5F040EC13 ,  5F040EE05 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040EK03 ,  5F040EK05 ,  5F040FA03 ,  5F040FB02 ,  5F048AC03 ,  5F048BA09 ,  5F048BA15 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BG01 ,  5F048BG07 ,  5F048BG12 ,  5F048BG15 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD22 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG32 ,  5F110GG37 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-079658   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-017352   出願人：株式会社リコー