特許

J-GLOBAL ID：200903005114425572

発光素子

発明者： 廣瀬 実 ,  神谷 真央
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-285429
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096116
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】 保護膜と透明電極層との屈折率差による光取出し性の低下を改善し、高輝度化を図ることのできる発光素子を提供する。【解決手段】 透明電極15の表面に屈折率の大なる保護膜17(n=1.65)を有し、その表面に保護膜17より屈折率の小なる保護膜18(n=1.47)を設けることで、層間の屈折率差および保護膜18と素子外との屈折率差を小にでき、p-GaN層14から透明電極15を介して保護膜17に入射する光の界面反射を抑え、さらに保護膜17から保護膜18を介して外部放射される光の外部との界面における反射を低減することができる。そのため、MQW13での発光に基づく光を外部に効率良く放射できるようになり、高輝度化を実現できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、 前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、 前記透明電極上に設けられて第1の屈折率を有する光透過性の第1の保護膜と、 前記第1の屈折率より小なる第2の屈折率を有して前記第1の保護膜上に設けられる第2の保護膜とを有することを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (8件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-415928   出願人：三星電機株式会社