特許
J-GLOBAL ID：200903017996789042
窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415928
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019945
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】本発明は、窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法に関する。【解決手段】本発明は、基板上31面に第1導電型クラッド層33、活性層35及び第2導電型クラッド層37を順次に形成する段階(図1(A))と、前記第2導電型クラッド層37の上面に透明電極38を形成する段階(図1(B))と、前記透明電極38の上面に一側領域が開放されたフォトレジスト41を形成する段階(図1(B))と、前記開放された一側領域に該当する前記透明電極38、前記第2導電型クラッド層37及び前記活性層35を除去して前記第1導電型クラッド層33を露出させる段階(図1(C))と、前記フォトレジスト41を除去する段階(図1(D))と、前記透明電極38と前記第2導電型クラッド層37の所定の領域に各々第1及び第2ボンディング電極39a,39bを形成する段階(図1(F))とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上面に第1導電型クラッド層、活性層、及び第2導電型クラッド層を順次に形成する段階と、
前記第2導電型クラッド層の上面に透明電極を形成する段階と、
前記透明電極の上面に一側領域が開放されたフォトレジストを形成する段階と、
前記開放された一側領域に該当する前記透明電極、前記第2導電型クラッド層、及び前記活性層を除去して前記第1導電型クラッド層を露出させる段階と、
前記フォトレジストを除去する段階と、
前記透明電極と前記第2導電型クラッド層の所定の領域に各々第1及び第2ボンディング電極を形成する段階と、
を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 E
5F041AA42
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA65
, 5F041CA85
, 5F041CA87
, 5F041CA88
, 5F041CB11
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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