プラズマ処理方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-177849
公開番号（公開出願番号）：特開2006-004686
出願日： 2004年06月16日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】0.1気圧〜100気圧という比較的高い圧力下で高速な処理を実現できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】第1電極1と第2電極2が平行に配置され、第2電極2上に被処理物3が配置される。第1電極1は裏板4を介して接地されている。第1ガス供給装置5から第1配管6を介して第1ガス溜まり7に不活性ガスとしてのヘリウムガスが供給され、第2ガス供給装置8から第2配管9を介して第2ガス溜まり10に反応性ガスとしてのSF6ガスが供給される。ヘリウムガスを、第1ガス噴出口12から噴出させるとともに、SF6ガスを、第2ガス噴出口13から噴出させつつ、高周波電源11を操作して第1電極と第2電極間に電圧を印加すると、第1電極1と被処理物3の間に面状のプラズマが発生し、被処理物の表面を高速でエッチングすることができた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、被処理物を載置した第2電極間に電圧を印加して面状のプラズマを発生させ、前記被処理物の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記第1電極または前記第1電極の表面の被処理物側に配置された誘電体に設けられた複数の第1ガス噴出口より前記被処理物の表面に不活性ガスを主体とするガスを噴出させるとともに、前記第1電極または前記第1電極の表面の被処理物側に配置された誘電体に設けられた複数の第2ガス噴出口より前記被処理物の表面に反応性ガスを含むガスを噴出させることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H05H 1/24 , B08B 7/00 , C23C 16/455 , C23C 16/50 , H01L 21/304 , H01L 21/31 , H01L 21/306

FI (7件)：

H05H1/24 , B08B7/00 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/304 645C , H01L21/31 C , H01L21/302 101B

Fターム (32件)：

3B116AA02 , 3B116AA03 , 3B116AA46 , 3B116BC01 , 4K030EA03 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 5F004BA06 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BC03 , 5F004CA02 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA30 , 5F004DB01 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045BB09 , 5F045EH05 , 5F045EH08 , 5F045EH13

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第2837993号公報
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-143712 出願人：松下電工株式会社

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