特許

J-GLOBAL ID：200903005126053042

固体撮像素子およびその製造方法

発明者： 藤澤 薫 ,  岡本 栄一
出願人/特許権者： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  栗宇 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282876
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119795
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】単層構造の電荷転送電極間の短ギャップ化が可能でかつ電気的耐圧が高く、低消費電力で高速駆動可能な固体撮像素子を提供する。また、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像素子の電荷転送電極が、半導体基板表面に、同一幅で起立する壁状のパターンをなすように形成された電極間絶縁膜で囲まれた領域に配設され、前記電極間絶縁膜によって電気的分離のなされた導電性膜で構成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

固体撮像素子の電荷転送電極が、 半導体基板表面に、同一幅で起立する壁状のパターンからなる電極間絶縁膜で囲まれた領域に配設され、前記電極間絶縁膜によって電気的分離のなされた導電性膜で構成されることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (1件)：

H01L27/148

FI (1件)：

H01L27/14 B

Fターム (18件)：

4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CA20 ,  4M118DA13 ,  4M118DA18 ,  4M118DA20 ,  4M118DA23 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-116466
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-196688   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-292834