特許

J-GLOBAL ID：200903081495243686

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小川 智弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196688
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040793
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 電荷転送電極の層抵抗低減を図り、多画素でかつ高速動作を行っても信号波形のなまりを生じにくくさせ、転送効率の向上を図ることである。【解決手段】 シリコン基板1表面近傍に光電変換領域5を有し、その横にPウェル2を介して電荷転送領域4を有し、またシリコン基板上にはゲート絶縁膜7を有し、その上に比較的は微細加工の容易なポリシリコン膜8とポリシリコン膜8上にのみ選択的に形成される金属膜9の2層からなる電荷転送電極を有して構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を有し、該第1の絶縁膜上に多数の電荷転送電極を有する電荷結合素子において、前記電荷転送電極が、第1の導電層と、該第1の導電層よりも非抵抗の低い第2の導電層からなり、隣接する前記電荷転送電極間に第2の絶縁膜よりなる空隙を有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-005440
  
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-006183   出願人：株式会社日立製作所
• 電荷結合素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272817   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-147651