特許
J-GLOBAL ID：200903005134597701
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-254041
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069066
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 外部からライトプロテクト信号WPの入力端子を設ける必要がなく、既存のEPROMやEEPROMなどとの互換性を保つ。【解決手段】 消去ブロック1の保護状態設定部2に設定された保護状態を有効にするためのWP信号をWP信号発生部9aで発生させる。このWP信号発生部9aは、コマンドステートマシン8がロックブロックコマンドを判定した場合にWP信号を自動的にアクティブにする。WP解除コマンド判定部9bがWP解除コマンドを判定した場合には、WP信号を非アクティブにする。なお、WP設定コマンド判定部9cがWP設定コマンドを判定した場合にもアクティブにすることができる。これらの機能は、1回目の書き込みサイクルで特定のデータが入力され、2回目の書き込みサイクルで特定のアドレスとデータが入力された場合に動作する。
請求項（抜粋）：
電気的にデータの書き換えと消去が可能な不揮発性半導体記憶装置において、所定の各アドレス領域について、それぞれ当該アドレス領域内のデータの書き込みと消去を禁止するための保護状態を設定することができる保護状態設定手段と、WP信号がアクティブである場合にのみ、該保護状態設定手段が保護状態にあるデータの書き込み動作と消去動作を禁止するデータ保護手段と、1回のバスサイクルによって外部から入力される特定のデータおよび/またはアドレス、または、2回以上のバスサイクルによって外部から入力される特定のデータおよび/またはアドレスの組み合わせによりWP設定コマンドの入力を判定するWP設定コマンド判定手段と、WP信号を発生するものであり、少なくとも該WP信号が非アクティブである場合に、該WP設定コマンド判定手段がWP設定コマンドの入力を判定すると、該WP信号をアクティブにするWP信号発生手段とを備えた不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G06F 12/14 310
, G06F 12/14
, G11C 16/06
G06F 12/14 310 F
, G06F 12/14 310 B
, G11C 17/00 309 F
