特許

J-GLOBAL ID：200903005146065632

成膜装置

発明者： 足助 慎太郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-233848
公開番号（公開出願番号）：特開2008-056975
出願日： 2006年08月30日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】基板上に膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置は、ターゲット材料にイオン粒子を照射して、ターゲット材料より膜を形成するためのスパッタ粒子を放出させるスパッタ装置と、基板を保持して移動可能であり、ターゲット材料からのスパッタ粒子が供給可能な位置に基板を配置可能な基板保持部材と、ターゲット材料と基板との間に配置され、ターゲット材料からのスパッタ粒子の少なくとも一部が通過可能な開口を有する所定部材とを備える。所定部材は、ターゲット材料と同じ材料によって形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に膜を形成する成膜装置であって、 ターゲット材料にイオン粒子を照射して、前記ターゲット材料より前記膜を形成するためのスパッタ粒子を放出させるスパッタ装置と、 前記基板を保持して移動可能であり、前記ターゲット材料からの前記スパッタ粒子が供給可能な位置に前記基板を配置可能な基板保持部材と、 前記ターゲット材料と前記基板との間に配置され、前記ターゲット材料からの前記スパッタ粒子の少なくとも一部が通過可能な開口を有する所定部材と、を備え、 前記所定部材は、前記ターゲット材料と同じ材料によって形成されている成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 14/00 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

C23C14/00 B ,  H01L21/90 P

Fターム (20件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029CA15 ,  4K029DA03 ,  4K029DA10 ,  4K029DA13 ,  4K029DC16 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 配向膜形成方法、配向膜形成装置、液晶パネル、液晶プロジェクタおよび電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-337537   出願人：セイコーエプソン株式会社