特許
J-GLOBAL ID：200903005150036000

EUVLマスクの多層膜中の振幅欠陥修正方法

発明者：
高岡 修

高岡 修 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-236941
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059835
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 EUVLマスクのMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜中の振幅欠陥を修正する。【解決手段】 Siを含む液体合金イオン源1から質量分離器3で質量分離され、イオン光学系6で集束された500V以下の低加速Siイオンビーム、または注入深さが浅くなるように斜めから500V〜2000Vの低加速Siイオンビームを入射させてMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜表面近傍の振幅欠陥を下層のMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜界面を壊されないように物理スパッタまたはガスアシストエッチングで除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Siを含む液体合金イオン源から質量分離された500V以下の低加速Si集束イオンビームで、EVULマスク表面に形成されたMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜表面下の該表面近傍にある振幅欠陥の原因となる異物を、前記異物上の多層膜と共に物理スパッタまたはガスアシストエッチングで除去することで修正することを特徴とするEUVLマスクの多層膜中の振幅欠陥修正方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/08 T
Fターム (5件)：
2H095BA10 ,  2H095BD05 ,  2H095BD35 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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