特許

J-GLOBAL ID：200903005155702688

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 田原 伊和男 ,  三原 一郎 ,  青木 由隆
出願人/特許権者： 株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ ,  カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 鹿嶋 英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057292
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 チップ面積の増大を招くことなく誘導素子(インダクタ)を搭載することができる半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】 回路素子形成領域上に配置される導体層をインダクタンス成分が生じるようにパターニングして誘導素子Lを形成するので、チップ面積の増大を招くことなく誘導素子を搭載することができる。また、誘導素子Lを保護膜で覆うようにすることによって、安定した誘導特性を得ることができる。さらに、誘導素子L上に、保護膜を介して磁性体膜を形成するように構成することによって、誘導素子の小型化及び誘導特性の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

回路素子形成領域及び複数の接続パッドが形成された半導体基板と、該回路素子形成領域上に形成された絶縁膜と、前記複数の接続パッドに接続されるとともに、前記回路素子形成領域上に前記絶縁膜を介して配置される複数の第1の導体層と、前記複数の第1の導体層上に設けられた複数の柱状電極と、を備える半導体装置において、前記絶縁膜上に形成された、少なくとも1つの第2の導体層を備え、該第2の導体層により形成された誘導素子を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/12 501

FI (3件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 E

Fターム (6件)：

5F038AZ04 ,  5F038CA02 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198127   出願人：カシオ計算機株式会社
• 複合集積回路部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-142882   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭61-161747
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-035759   出願人：カシオ計算機株式会社