特許

J-GLOBAL ID：200903005159514495

多層配線基板と半導体チップの接続方法

発明者： 小澤 進 ,  高橋 良郎 ,  烏野 ゆたか ,  中久木 穂
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-264181
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124965
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】接続不良が少なく、接続密度が高く、接続信頼性の高い多層配線基板と半導体チップの接続方法を提供すること。【構成】 配線層を形成した基板上に、配線層を介してビアポストを形成した後、絶縁層によりビアポストを覆う。配線層およびビアポストの表面上には接着層である酸化銅(CuO)の針状結晶が形成されている。次に、ビアポストの頭だしを行い、かつ絶縁層とビアポストの上端面とにより平坦面を形成する。さらに、同様な工程を繰り返して、多層配線基板を形成する。その後、絶縁層のエッチングを行うとともに、エッチングにより露出した部分の酸化銅(CuO)の針状結晶が除去される。このため、ビアポストの一部が、露出する。この露出部がバンプ29として機能する。そして、半導体チップと多層配線基板との接続を、半導体チップ33上に形成されているパッドとバンプとを接続することにより行う。

請求項（抜粋）：

多層配線基板の複数の配線層をビアポストを介して半導体チップに接続するに当り、最上層配線層上に形成される前記ビアポストをバンプとして用い、前記ビアポストと前記半導体チップ上の電極とを導体を介して接続する工程を含むことを特徴とする多層配線基板と半導体チップの接続方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/32 ,  H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-010696
  
• ベアチップの実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-218110   出願人：富士通株式会社