特許
J-GLOBAL ID：200903005180074136
結晶性半導体薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192574
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055807
出願日： 1994年08月16日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【構成】 基板上に、シリコン原子を含む化合物気体を含んだ混合気体のプラズマ分解により結晶性半導体薄膜を形成する方法において、シリコン原子を含む化合物気体を含んだ混合気体を予め、第一のプラズマ分解空間を通した後に、第二のプラズマ分解空間において、成膜のためのプラズマ分解を行うことを特徴とする結晶性半導体薄膜の形成方法。【効果】 本発明により作製した結晶性半導体薄膜は、良好な結晶性、電気特性を有しかつ、従来技術にくらべ、低基板温度で高速に形成することができ、薄膜太陽電池や薄膜トランジスタに適用ができる結晶性シリコン半導体薄膜形成技術である。
請求項（抜粋）：
基板上に、シリコン原子を含む化合物気体を含んだ混合気体のプラズマ分解により半導体薄膜を形成する方法において、該シリコン原子を含む化合物気体を含んだ混合気体を予め、第一のプラズマ分解空間を通した後に、結晶性半導体薄膜を被着させる基板が備えられている空間にある、第二のプラズマ分解空間において、成膜のためのプラズマ分解を行うことを特徴とする結晶性半導体薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 31/04
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 31/04 X
, H01L 29/78 618 A
