特許

J-GLOBAL ID：200903005180286427

ナノ構造体の製造方法

発明者： 安居 伸浩 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140182
公開番号（公開出願番号）：特開2002-332578
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 ナノホール底部が下地の導電性金属層からなる下地電極まで貫通した、直線性と径の一様性に優れたナノホールを有する陽極酸化アルミナナノホールを均一、且つ安定に形成するナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 Wを主成分とする下地電極上に陽極酸化アルミナナノホールが形成され、且つ該アルミナナノホールが該下地電極表面に貫通しているナノ構造体の製造方法において、陽極酸化により陽極酸化アルミナナノホールを有するポーラス皮膜を形成する工程、次いで化学エッチングを行いアルミナナノホールを下地電極表面に貫通させる工程を有するナノ構造体の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくともWを成分とする下地電極上に陽極酸化アルミナナノホールが形成され、且つ該アルミナナノホールが該下地電極表面に貫通しているナノ構造体の製造方法において、陽極酸化により陽極酸化アルミナナノホールを有するポーラス皮膜を形成する工程、次いで化学エッチングを行いアルミナナノホールを下地電極表面に貫通させる工程を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法。

IPC (14件)：

C23C 26/00 ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/04 101 ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/06 ,  C25D 11/16 302 ,  C25D 11/18 ,  C25D 11/20 302 ,  C25D 11/24 302 ,  C25F 3/02 ,  C25F 3/08 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/84 ,  H01L 29/06 601

FI (14件)：

C23C 26/00 Z ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/04 101 A ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/06 C ,  C25D 11/16 302 ,  C25D 11/18 A ,  C25D 11/20 302 ,  C25D 11/24 302 ,  C25F 3/02 B ,  C25F 3/08 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/84 Z ,  H01L 29/06 601 N

Fターム (20件)：

4K044AA11 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BA13 ,  4K044BB03 ,  4K044BB13 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA16 ,  4K044CA17 ,  4K044CA18 ,  5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006DA08 ,  5D112AA02 ,  5D112BA02 ,  5D112BA09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ナノ構造体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276427   出願人：キヤノン株式会社