特許

J-GLOBAL ID：200903005202307873

光波長変換素子の製造方法および光波長変換素子

発明者： 田中 章治 ,  高木 進 ,  中野 太郎
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-154782
公開番号（公開出願番号）：特開2008-309828
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】大面積の強誘電体基板にデューティ比の面内均一性が高い分極反転部を形成できる光波長変換素子の製造方法と光波長変換素子とを提供することを目的とする。【解決手段】強誘電体から成る基板の一方の表面を所定の粗さに加工した後その加工表面に第1の金属電極を形成する第1の金属電極形成工程と、前記基板の前記第1の金属電極が形成された面と反対の面の全体表面を覆うように第2の金属電極を形成する第2の金属電極形成工程と、前記第1の金属電極と前記第2の電極との間に電界を印加して前記基板に分極反転部を形成する分極反転形成工程とからなる光波長変換素子の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強誘電体から成る基板の一方の表面を所定の粗さに加工した後その加工表面に第1の金属電極を形成する第1の金属電極形成工程と、 前記基板の前記第1の金属電極が形成された面と反対の面の全体表面を覆うように第2の金属電極を形成する第2の金属電極形成工程と、 前記第1の金属電極と前記第2の電極との間に電界を印加して前記基板に分極反転部を形成する分極反転形成工程とからなる光波長変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

G02F 1/37

FI (1件)：

G02F1/37

Fターム (7件)：

2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA03 ,  2K002DA01 ,  2K002EB07 ,  2K002FA27 ,  2K002HA20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-187735号公報
  
• 強誘電体の分極反転方法および光波長変換素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-345496   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 強誘電体の分極反転方法および光波長変換素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-187643   出願人：富士写真フイルム株式会社