特許

J-GLOBAL ID：200903005238864108

低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置

発明者： 中田 義弘 ,  福山 俊一 ,  矢野 映 ,  大和田 保 ,  鈴木 克己 ,  杉浦 巌
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-002113
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345317
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜材料として適した低誘電率被膜の材料を提供する。さらに、低誘電率の被膜を有し、かつ信頼性の高い半導体装置を提供することである。【解決手段】 低誘電率被膜形成材料は、シロキサン樹脂とポリカルボシランとを溶媒に溶解させて得られる。この溶液を用いて、シロキサン樹脂と、該シロキサン樹脂に結合したポリカルボシランとを含む低誘電率被膜が形成される。

請求項（抜粋）：

シロキサン樹脂とポリカルボシランとを溶解した低誘電率被膜形成材料。

IPC (8件)：

H01L 21/312 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 27/00 101 ,  C08K 5/13 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/16 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (9件)：

H01L 21/312 C ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 27/00 101 ,  C08K 5/13 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/16 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

Fターム (93件)：

4F100AA12 ,  4F100AA20A ,  4F100AA20C ,  4F100AB10 ,  4F100AB11 ,  4F100AB17 ,  4F100AB25 ,  4F100AB40 ,  4F100AD05 ,  4F100AK52A ,  4F100AK52C ,  4F100AK54A ,  4F100AK54C ,  4F100AL05A ,  4F100AL05C ,  4F100AR00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100DD05 ,  4F100DJ10A ,  4F100DJ10C ,  4F100EG002 ,  4F100EH462 ,  4F100EH662 ,  4F100EJ052 ,  4F100EJ152 ,  4F100EJ422 ,  4F100GB41 ,  4F100JB01 ,  4F100JG00B ,  4F100JG05A ,  4F100JG05C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00C ,  4J002CP03W ,  4J002CP21X ,  4J002EJ026 ,  4J002GQ01 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK09 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-222511
  
• 低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された低誘電率絶縁膜及び該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-301910   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平2-222511
  
• 低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された低誘電率絶縁膜及び該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-301910   出願人：富士通株式会社