特許
J-GLOBAL ID：200903005240994736
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220818
公開番号（公開出願番号）：特開平7-070751
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：
【要約】【目的】 消衰係数の大きい薄膜の形成において、そのインプロセスで薄膜形成速度の検出を可能とし、高精度の膜厚制御を実現する。【構成】 時間の経過に伴ない膜厚の増加する薄膜と基板1を含む全体の反射率を検出するか、又は薄膜が形成される部位に前記基板1とは異なるモニター用基板2を設置し、薄膜と前記モニター用基板2を含む全体の反射率を検出し、この時間の関数としての検出信号を、予め求めた検出信号値と膜厚との相関特性に基づいて膜厚信号に変換し、この時間の関数としての膜厚信号に基づき、薄膜形成速度をインプロセスで検出する。
請求項（抜粋）：
基板に薄膜を形成する工程において、時間の経過に伴ない膜厚の増加する薄膜と前記基板を含む全体の反射率と透過率のうち少なくとも一方を検出するか、又は薄膜が形成される部位に前記基板とは異なるモニター用基板を設置し、薄膜と前記モニター用基板を含む全体の反射率と透過率のうち少なくとも一方を検出し、この時間の関数としての検出信号を、予め求めた検出信号値と膜厚との相関特性に基づいて膜厚信号に変換し、この時間の関数としての膜厚信号に基づき、薄膜形成速度をインプロセスで検知する薄膜形成方法。
引用特許：
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