特許
J-GLOBAL ID：200903005261035313
光検出素子、光検出素子の制御方法、空間情報検出装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-280910
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095849
出願日： 2005年09月27日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】飽和を抑制しダイナミックレンジの低下を抑制する。【解決手段】シリコンからなる光電変換層10に絶縁層11を介して蓄積電極12と再結合電極13とが設けられる。蓄積電極12と再結合電極13とにそれぞれ電圧を印加すると、光電変換層10にはそれぞれ蓄積領域、再結合領域となるポテンシャル井戸が形成される。光電変換層11は受光光量に応じた個数の電子とホールとを生成する。再結合電極13は蓄積電極12の両側に設けられる。再結合電極13に印加する電圧の極性を交互に切り換えると、再結合領域にホールを集積する状態と、蓄積領域と再結合領域とで電子を集積する状態とが交互に切り替わる。再結合領域に集積された電子は再結合領域に捕捉されているホールと再結合する。したがって、蓄積領域には再結合後の電子が蓄積される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光照射により電子およびホールを生成する固体からなる光電変換層と、光電変換層の一表面に絶縁層を介して配置された制御電極と、制御電極に電圧を印加することにより光電変換層に形成された電子とホールとのうちの一方である第1キャリアを集積するポテンシャル井戸であって制御電極に印加する電圧を変化させることにより光電変換層の前記一表面に沿ったポテンシャル井戸の面積を変化させる第1集積部と、電子とホールとのうちの他方である第2キャリアを集積する第2集積部とを備え、第1集積部の面積変化に伴って第1キャリアと第2集積部に集積された第2キャリアとが再結合するように第1集積部と第2集積部とを配置し、再結合後に残留した第1キャリアと第2キャリアとの少なくとも一方を受光出力として外部に取り出すことを特徴とする光検出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 B
, H01L31/00 B
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA08
, 4M118DB13
, 4M118FA06
, 4M118FA13
, 4M118FA34
, 5F088BA05
, 5F088BB03
, 5F088EA04
, 5F088EA08
, 5F088KA08
