特許

J-GLOBAL ID：200903005295116266

半導体ウェーハ裏面の研削方法及びそれに用いる半導体ウェーハ裏面研削装置

発明者： 有佐 樹治 ,  小澤 寿行
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  島田 哲郎 ,  廣瀬 繁樹 ,  水本 義光 ,  丹羽 匡孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-092932
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246240
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：

【課題】ウェーハの裏面を平坦に仕上げることができる半導体ウェーハ裏面の研削方法及びそれに用いる半導体ウェーハ裏面研削装置を提供する。【解決手段】ウェーハ積層体10の裏面をインフィード研削する半導体ウェーハ裏面の研削方法であって、ウェーハ積層体10の裏面のインフィード研削中において、ウェーハ積層体10の外周部分と内周部分の積層体厚みをインプロセスゲージで測定することと、外周部分と内周部分の積層体厚みの厚み差を算出することと、算出された厚み差が小さくなるように研削砥石15の軸線R2を任意の方向に所定角度傾けることと、を備える。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

回路パターンを保護するために支持基材が貼り合わされたウェーハ積層体の表面側を下向きにし、研削される裏面側を上向きにして前記ウェーハ積層体をテーブルに固定した状態で、前記ウェーハ積層体を水平面内で回転させ、研削砥石をその軸線回りで回転させながら、前記研削砥石を前記垂直方向に所定の送り速度で移動させることにより、前記ウェーハ積層体の裏面を研削する半導体ウェーハ裏面の研削方法であって、 前記ウェーハ積層体の裏面の研削中において、 該ウェーハ積層体の外周部分と内周部分の積層体厚みを測定することと、 前記外周部分と前記内周部分の積層体厚みの厚み差を算出することと、 算出された該厚み差が小さくなるように前記研削砥石の前記軸線を傾けることと、 を備える半導体ウェーハ裏面の研削方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 7/04 ,  B24B 49/04

FI (5件)：

H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622S ,  H01L21/304 622R ,  B24B7/04 Z ,  B24B49/04 Z

Fターム (20件)：

3C034AA08 ,  3C034BB30 ,  3C034BB73 ,  3C034BB91 ,  3C034CA02 ,  3C034CA05 ,  3C034CA13 ,  3C034CA26 ,  3C034CB08 ,  3C034CB14 ,  3C034DD01 ,  3C034DD07 ,  3C034DD10 ,  3C043BA03 ,  3C043BA09 ,  3C043BA12 ,  3C043BA14 ,  3C043BA15 ,  3C043CC04 ,  3C043DD03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ウエーハの研削方法及びウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-014942   出願人：信越半導体株式会社