光導波路デバイス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-335151
公開番号（公開出願番号）：特開2004-170608
出願日： 2002年11月19日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】RIE工程でのウェハの破損防止、ステージへの張り付き防止及びウェハの自動搬送を可能とした光導波路デバイスの製造方法を提供することである。【解決手段】光導波路デバイスの製造方法であって、電気光学効果を有する基板中に光導波路を形成し、この基板上にSiO2膜を形成し、SiO2膜上、基板の下面及び少なくとも基板の側面の一部にSi膜を形成して、SiO2膜上及び基板の下面上のSi膜を導通するステップを含んでいる。光導波路デバイスの製造方法は更に、Si膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びSi膜を剥離するステップを含んでいる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

光導波路デバイスの製造方法であって、電気光学効果を有する基板中に光導波路を形成し、該基板上にSiO2膜を形成し、前記SiO2膜上、前記基板の下面及び少なくとも前記基板の側面の一部にSi膜を形成して、前記SiO2膜上及び前記下面上のSi膜を導通し、前記Si膜上にフォトレジストを塗布し、前記光導通路に対応する部分のフォトレジストが残るように前記フォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、前記光導波路に沿って前記基板に溝を形成し、前記フォトレジスト及び前記Si膜を剥離する、ステップを含むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

G02F1/035 , G02B6/12 , G02B6/13

FI (3件)：

G02F1/035 , G02B6/12 J , G02B6/12 M

Fターム (19件)：

2H047KB09 , 2H047LA12 , 2H047NA02 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA02 , 2H047QA03 , 2H047QA04 , 2H047TA42 , 2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079DA03 , 2H079EA05 , 2H079EB04 , 2H079JA03 , 2H079JA04 , 2H079JA07 , 2H079JA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-202810
光導波路デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-258110 出願人：京セラ株式会社
光導波路デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-165072 出願人：富士通株式会社

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