特許
J-GLOBAL ID:200903005320488980

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-057994
公開番号(公開出願番号):特開2009-218274
出願日: 2008年03月07日
公開日(公表日): 2009年09月24日
要約:
【課題】 正面輝度の高い半導体発光装置を提供することである。【解決手段】 半導体発光装置10は、基板20と、基板20に実装される発光素子30と、発光素子30の上方に位置し発光層からの光を波長変換する蛍光体を含む透光性部材からなる波長変換層40と、波長変換層40と発光素子30の側面に隣接して配置された反射部材50とから構成される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発光層を有する半導体エピタキシャル層と、該半導体エピタキシャル層を支持し、該発光層からの光を透過する素子基板とを有する発光素子と、 前記発光素子の上方に位置し発光層からの光を波長変換する蛍光体を含む透光性部材からなる波長変換層と、 前記波長変換層の側面と、該側面と同一面側に位置する前記発光素子の側面とに隣接して配置された反射部材と、 前記発光素子及び前記反射部材が実装される基板と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (10件):
5F041AA06 ,  5F041AA11 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA42 ,  5F041DA45 ,  5F041DA57 ,  5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特許3152238号公報
  • 蛍光体変換発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-170094   出願人:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
審査官引用 (4件)
  • 発光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-266841   出願人:日亜化学工業株式会社, 株式会社小糸製作所
  • LEDランプ及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-333082   出願人:星和電機株式会社
  • 発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-109819   出願人:日亜化学工業株式会社
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