特許
J-GLOBAL ID:200903013894370432
蛍光体変換発光素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-170094
公開番号(公開出願番号):特開2003-110153
出願日: 2002年06月11日
公開日(公表日): 2003年04月11日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、一般的に発光素子に関し、より具体的には、蛍光体を用いた発光素子を提供する。【解決手段】 蛍光体の単一層又は多重層などのルミネッセント材料構造体で覆われたIII族窒化物発光ダイオードのような発光素子を含む光源が開示される。ルミネッセント材料構造体の厚みのいかなる変動も、このルミネッセント材料構造体の平均厚みの10%に等しいか又はそれ以下である。いくつかの実施形態においては、ルミネッセント材料構造体の厚みは、発光素子の横断寸法の10%未満である。いくつかの実施形態においては、ルミネッセント材料構造体は、発光素子から放射された光が通過する唯一のルミネッセント材料である。いくつかの実施形態においては、ルミネッセント材料構造体は、厚さが約15から約100ミクロンの間である。ルミネッセント材料構造体は、例えば、ステンシル印刷又は電気泳動堆積により、発光素子上に選択的に堆積される。
請求項(抜粋):
n型領域、活性領域、及び、p型領域を有する半導体層のスタックを含む発光素子と、前記発光素子を覆うルミネッセント材料構造体と、を含み、前記ルミネッセント材料構造体の厚みのいかなる変動も、前記ルミネッセント材料構造体の平均厚みの10%に等しいか又はそれ以下である、ことを特徴とする光源。
IPC (6件):
H01L 33/00
, C09K 11/08
, C09K 11/56
, C09K 11/62 CQF
, C09K 11/64 CPC
, C09K 11/80 CPM
FI (6件):
H01L 33/00 N
, C09K 11/08 J
, C09K 11/56
, C09K 11/62 CQF
, C09K 11/64 CPC
, C09K 11/80 CPM
Fターム (29件):
4H001XA07
, 4H001XA08
, 4H001XA13
, 4H001XA16
, 4H001XA31
, 4H001XA38
, 4H001XA39
, 4H001XA49
, 4H001YA58
, 4H001YA59
, 4H001YA64
, 5F041AA05
, 5F041AA11
, 5F041AA47
, 5F041CB36
, 5F041DA03
, 5F041DA09
, 5F041DA13
, 5F041DA20
, 5F041DA45
, 5F041DA55
, 5F041DA57
, 5F041DA59
, 5F041DA81
, 5F041DA82
, 5F041DB08
, 5F041DC08
, 5F041DC10
, 5F041DC26
引用特許:
審査官引用 (7件)
-
半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-003788
出願人:松下電子工業株式会社
-
発光ダイオード及びその形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-201310
出願人:日亜化学工業株式会社
-
光電子部品の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-215710
出願人:日本レック株式会社
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