パターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102296
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284242
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】平坦化をCMPで行うダマシン法を用いて、従来より短時間にマイクロマシンを形成できるようにする。【解決手段】フォトリソグラフィ技術により樹脂膜104を選択的に除去して凸パターン104aを形成した後、化学的機械的研磨(CMP)法により、凸パターン104aの層間膜102表面上に突出している部分を研削研磨し、層間膜102上を平坦化する。

請求項（抜粋）：

基体に凹部を形成する工程と、前記凹部内を埋め込んで前記基体上に紫外線に感光性を有する樹脂からなる樹脂膜を形成する工程と、前記凹部を中心とした前記凹部より広い第1の領域と、この第1の領域以外との現像液に対する溶解性が異なるように前記樹脂膜を選択的に露光する工程と、この露光する工程の後、前記樹脂膜を前記現像液により現像して前記第1の領域以外を除去し、前記樹脂膜の前記第1の領域からなる第1のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンの前記基体上に突出した部分をCMP法により選択的に研削研磨し、前記基体とともに1つの表面を形成するように前記凹部内が前記樹脂からなる第2のパターンで充填された状態とする工程とを少なくとも備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , B81C 1/00 , B81C 5/00 , H01L 21/306 , H01L 21/312 , H01L 21/3205

FI (7件)：

B81C 1/00 , B81C 5/00 , H01L 21/312 B , H01L 21/312 D , H01L 21/30 578 , H01L 21/306 M , H01L 21/88 K

Fターム (33件)：

5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033XX01 , 5F043AA37 , 5F043BB25 , 5F043CC02 , 5F043CC10 , 5F043CC11 , 5F043CC16 , 5F043CC20 , 5F043DD16 , 5F043FF01 , 5F043GG10 , 5F046AA17 , 5F046MA19 , 5F058AA06 , 5F058AC02 , 5F058AC07 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG10 , 5F058AH06 , 5F058AH10 , 5F058BF62 , 5F058BF63

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-251154
特開昭61-251154
半導体基板の表面の平坦化方法とその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-180721 出願人：株式会社東芝

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