特許
J-GLOBAL ID：200903005357402740

マルチビーム型半導体光デバイス装置

発明者：
下山 謙司

下山 謙司 について

, 
細井 信行

細井 信行 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044288
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237495
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 1つの基板上に互いに発光波長が異なる2以上の半導体発光素子を集積した半導体光デバイス装置であって、制御性よく高歩留まりで製造することが可能なものを提供すること。【解決手段】 半導体基板又は半導体基板上に成長させたエピタキシャル成長層にストライプ状の溝を2つ以上有し、少なくとも2つの該溝の内部に互いに発光波長の異なる活性層が形成されていることを特徴とするマルチビーム型半導体発光装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板又は半導体基板上に成長させたエピタキシャル成長層にストライプ状の溝を2つ以上有し、少なくとも2つの該溝の内部に互いに発光波長の異なる活性層が形成されていることを特徴とするマルチビーム型半導体発光装置。
Fターム (10件)：
5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB06 ,  5F073CA04 ,  5F073CA14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (4件)
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