特許
J-GLOBAL ID:200903005379784060
炭化ケイ素静電誘導トランジスタの制御装置及び制御方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-218525
公開番号(公開出願番号):特開2009-055200
出願日: 2007年08月24日
公開日(公表日): 2009年03月12日
要約:
【課題】電力用変換器の過電流においてオン抵抗損失の著しい増大を抑制して、電力用変換器の小型・軽量化および低価格化をはかる。【解決手段】定格電流容量の5倍ないし20倍のサージ電流が流れる電力用変換器に炭化ケイ素を素材とした静電誘導トランジスタを適用するにあたり、該静電誘導トランジスタのオン時のゲート電圧を定格電流以下の正常動作時にはゲート接合のビルトイン電圧以下として高速、低損失、高効率の電力変換を行い、定格を超える過電流が流れた場合にかぎりゲート電圧をビルトイン電圧以上に昇圧することにより過電流による素子破壊を防止する制御方法によって変換器に使用される炭化ケイ素静電誘導トランジスタの電流容量を変換のそれを大幅に超えない小容量とする。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
炭化ケイ素を素材とした静電誘導トランジスタの制御装置において、
該静電誘導トランジスタに流れる素子電流を検出する回路と、
該素子電流検出回路の出力に基づき、ゲート電圧を制御する回路と、を備え、
前記ゲート電圧制御回路は、定格電流以下の正常動作時にはオン時のゲート電圧を、前記静電誘導トランジスタのゲート・ソース間のpn接合のビルイン電圧以下の電圧に制御し、かつ、定格を超える過電流が流れた場合にかぎりゲート電圧をビルトイン電圧以上に昇圧することにより過電流による素子破壊を防止することから成る静電誘導トランジスタの制御装置。
IPC (6件):
H03K 17/08
, H01L 29/80
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H02M 1/08
, H03K 17/56
FI (5件):
H03K17/08 Z
, H01L29/80 V
, H01L27/04 H
, H02M1/08 A
, H03K17/56 Z
Fターム (37件):
5F038BH02
, 5F038BH03
, 5F038BH07
, 5F038BH08
, 5F038BH15
, 5F038EZ01
, 5F038EZ02
, 5F038EZ20
, 5F102FB01
, 5F102GB04
, 5F102GC08
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GL02
, 5H740AA04
, 5H740BA12
, 5H740MM12
, 5J055AX26
, 5J055AX32
, 5J055AX53
, 5J055AX64
, 5J055BX16
, 5J055CX07
, 5J055DX08
, 5J055DX64
, 5J055EY10
, 5J055EY12
, 5J055EY21
, 5J055EY28
, 5J055EZ00
, 5J055FX04
, 5J055FX13
, 5J055FX17
, 5J055FX38
, 5J055GX01
, 5J055GX04
, 5J055GX07
引用特許:
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