研究者

J-GLOBAL ID：200901038059581622 更新日: 2022年08月18日

八尾勉

ヤツオツトム | Yatsuo Tsutomu

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T49091986

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：パワーエレクトロニクス

MISC (9件)：

Yasunori Tanaka, Mitsuo Okamoto, Akio Takatsuka, Kazuo Arai, Tsutomu Yatsuo, Koji Yano, Masanobu Kasuga. 700-V 1.0-m Omega center dot cm(2) buried gate SiC-SIT (SiC-BGSIT). IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2006. 27. 11. 908-910
KONDOH Junji, YATSUO Tsutomu, ISHII Itaru, ARAI Kazuo. Estimation of Converters with SiC Devices for Distribution Networks. 電気学会論文誌 D 産業応用部門誌. 2006. 126. 4. 480-488
4H-SiC Lateral RESURF MOSFETs on Carbon-face Substrates. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2005. 438-485. 805-808
Analysis of Low On-Resistance in 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFET. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2005. 483-485. 813-816
8.5mΩcm2 600V Double-Epitaxial MOSFETs in 4H-SiC. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2004. 25. 5. 292-294

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所属学会 (1件)：

電気学会

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