MOS型固体撮像装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342290
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142674
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】トレンチ分離を用いたCMOSイメージセンサにおいて、画素間分離を容易にし、混色を低減し、暗時ノイズや白傷を低減し、画像特性を向上する。【解決手段】CMOSイメージセンサにおいて、P型シリコン基板51上に配置された光電変換部52と信号走査回路部を含む複数の単位セルと、光電変換部と信号走査回路部とを分離するトレンチ分離領域56と、トレンチ分離領域の底面下部で光電変換部を形成するフォトダイオード拡散層58より深い位置まで形成されたP型の素子分離拡散層57とを具備する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に配置され、前記第1導電型とは逆の第2導電型の拡散層を有するフォトダイオードからなる光電変換部および信号走査回路部を含む複数の単位セルと、前記半導体基板に形成され、前記光電変換部と信号走査回路部とを分離するトレンチ分離領域と、前記トレンチ分離領域の底面下部で前記フォトダイオードの拡散層より深い位置まで形成された第1導電型の第1の素子分離拡散層とを具備することを特徴とするMOS型固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H04N 1/028 , H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 1/028 Z , H04N 5/335 E , H04N 5/335 G , H01L 27/14 A

Fターム (23件)：

4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118DD09 , 4M118EA15 , 4M118FA06 , 4M118FA25 , 4M118FA26 , 4M118FA27 , 4M118GB04 , 4M118GB11 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024CX03 , 5C024GX07 , 5C024GY31 , 5C024GY35 , 5C051AA01 , 5C051BA03 , 5C051DA06 , 5C051DB01 , 5C051DC07 , 5C051EA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-317833 出願人：株式会社東芝
特開昭61-137341

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