特許

J-GLOBAL ID：200903005399351895

光学素子およびその製造方法

発明者： 小川 剛
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-194771
公開番号（公開出願番号）：特開2000-028837
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 密集して形成される光導波路間のクロストークを低減する。【解決手段】 高分子材料からなるコア4pと、これを包囲する高分子材料からなるクラッド6からなる個々の光導波路の光入射端および光出射端を除く部位を、光吸収層8で包囲する。ある光導波路から散乱光が放射されても、この光は光吸収層8で吸収されるので、他の光導波路に結合されることがない。クラッド6はコアの上下を挟む下部クラッド層3pと上部クラッド層5pとを一括的にパターニングすることで形成され、光吸収層8は、このクラッド6の上下を挟む下部光吸収層2と上部光吸収層7とにより構成される。伝搬光として近赤外波長域の半導体レーザ光を想定した場合、コア4pとクラッド6は鎖状有機高分子、光吸収層8は環状有機高分子を主体とする材料によりそれぞれ構成できる。

請求項（抜粋）：

高分子材料からなるコア部がこれより屈折率の低い高分子材料からなるクラッド部に被覆されてなる光導波路を基板上に少なくとも1本有する光学素子であって、前記光導波路の各々の光入射端および光出射端を除く部位が光吸収層に包囲されていることを特徴とする光学素子。

Fターム (6件)：

2H047AA03 ,  2H047EE02 ,  2H047EE21 ,  2H047EE24 ,  2H047EE28 ,  2H047GG05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光導波路ならびに光電子混在基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094040   出願人：京セラ株式会社
• 特開平4-263206
  
• 光導波回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-151641   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-152306