特許

J-GLOBAL ID：200903005423459368

集積回路構造及び形成方法(高移動度平面CMOSSOI)

発明者： ブレント・エイ・アンダーソン ,  メイケイ・イオン ,  エドワード・ジェイ・ノワク
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-085789
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294828
出願日： 2005年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】特定のデバイスに最適な性能を与える異なる結晶方位を有する1つの基板上に形成された集積半導体デバイスを提供する。【解決手段】少なくとも2つのタイプの結晶方位を有する基板を備える集積回路構造を開示する。第1のタイプの結晶方位を有する該基板の第1の部分の上に、第1のタイプのトランジスタ(例えばNFET)を形成し、第2のタイプの結晶方位を有する該基板の第2の部分の上に、第2のタイプのトランジスタ(例えばPFET)を形成する。この基板の第1の部分のうちのいくつかの部分は非浮遊基板部分を含み、基板の第1の部分の残りと全ての第2の部分とが、浮遊基板部分を含む。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

少なくとも2つのタイプの結晶方位を有する基板と、 第1のタイプの結晶方位を有する前記基板の第1の部分の上に形成された第1のタイプのトランジスタと、 第2のタイプの結晶方位を有する前記基板の第2の部分の上に形成された第2のタイプのトランジスタとを含む集積回路構造であって、 前記基板の前記第1の部分のうち選択された部分が、非浮遊基板部分を含み、 前記基板の前記第1の部分の残りの部分と前記第2の部分の全てとが、浮遊基板部分を含む、集積回路構造。

IPC (4件)：

H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

FI (6件)：

H01L29/78 613A ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618C

Fターム (34件)：

5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA02 ,  5F048BA10 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA20 ,  5F048BC19 ,  5F048BD06 ,  5F048BD09 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE22 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110HM02 ,  5F110NN62 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願第10/708586号
  

審査官引用 (2件)

• 特開平4-372166
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-160221   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション