特許
J-GLOBAL ID：200903005451204901
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331630
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163386
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 検出感度波長が異なる受光素子を1つの半導体基板に形成する。【解決手段】 n形の半導体基板1に絶縁膜4を介してn形の半導体層5を形成し、この半導体層5をエッチングにより所定領域に残して周囲に酸化膜4を形成する。半導体基板1の表面部分にp形領域6を形成すると共に、半導体層5にもp形領域9を形成し、受光素子としてのフォトダイオード2,3を設ける。フォトダイオード2,3は、それぞれ半導体基板1,半導体層5の厚さを光吸収層とするので、検出感度波長が短波長側と長波長側とに異なるように設定することができる。
請求項（抜粋）：
支持基板上に絶縁膜を介して形成された半導体層に素子が形成される構成の半導体装置において、前記半導体層を絶縁分離した複数の半導体層領域として形成すると共に、それらのうちの異なる半導体層領域に検出波長感度が異なるように設定された受光素子をそれぞれ形成したことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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