プラズマCVD装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319402
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135628
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】プラズマ領域外で供給するガスの均一性を向上させる。【解決手段】プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板5を有し、プラズマ閉込電極板5には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板7(11,12)が複数枚設けられている。プラズマ閉込電極板には、ガスを供給するガス導入管6が配置されている。複数のガス拡散板11,12の孔の数は、プラズマ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が多い。ガス拡散板7は、プラズマ閉込電極板5から離隔させて設けることができる。ガス通過孔の開口率、面内分布、ガス導入管の接続位置が工夫される。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数のラジカル通過孔が設けられたプラズマ分離用のプラズマ閉込電極板を有するプラズマCVD装置であって、前記プラズマ閉込電極板は中空構造であり、前記プラズマ閉込電極板には、基板処理領域側に開口された中性ガス噴射孔が設けられており、前記プラズマ閉込電極板の内側には、中性ガス通過孔を有するガス拡散板が複数枚設けられており、前記プラズマ閉込電極板には、ガスを供給するガス導入管が配置されており、前記複数のガス拡散板の中性ガス通過孔の開口率は、前記プラズマ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が高いことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/505 , C23C 16/52 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/505 , C23C 16/52 , H05H 1/46 M

Fターム (21件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030KA12 , 4K030KA17 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EF05 , 5F045EF07 , 5F045EF08 , 5F045EH05 , 5F045EH14

引用特許：

出願人引用 (3件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071213 出願人：日新電機株式会社
特開平3-197684
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196097 出願人：ソニー株式会社

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