特許

J-GLOBAL ID：200903005491357999

不揮発性半導体多値記憶装置

発明者： 河原 尊之 ,  木村 勝高
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241116
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091971
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【目的】 書込み及び消去をファウラー・ノルトハイムトンネル電流を用いて行なうフラッシュメモリにおいて、多値記憶の読出し及び書込みを実現する。【構成】 メモリセルM11〜Mmnは、m個毎にソース及びドレインが各々共通接続される。B1〜Bnはm個ごとのメモリセルのビット線、W1〜Wmはワード線、WD1〜WDmはワードドライバである。このワードドライバの読出し用及び検証用の電源として複数の電圧を発生できるワード線電圧発生回路VWG1を設けた。ワード線電圧発生回路VWG2は書込み用電源で、接地電圧及び負電圧を発生する。【効果】 検証動作時及び読出し動作時の複数のワード線電圧によって、多値データのメモリセルへの書込み及び多値データの読出しができる。

請求項（抜粋）：

メモリセルがフローティングゲートとコントロールゲートを有し、フローティングゲートにトンネル現象を用いて電荷の出し入れを行なって1メモリセル当たり複数のビット情報を記憶する不揮発性半導体多値記憶装置において、読出し及び検証用の複数の電圧を発生する電圧発生手段と、メモリセルのコントロールゲートに前記電圧発生手段の複数の電圧を順次印加してこの時のメモリセルに流れる電流値に基づいてメモリセルが所望のしきい値電圧に成ったか否かを判定する手段とを少なくとも備えることを特徴とする不揮発性半導体多値記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 308 ,  G11C 17/00 510 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-132006   出願人：株式会社東芝